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三星GALAXY S6将采用UFS闪存 速度快三倍

发布日期:2014-11-13 来源:腾讯数码 阅读:14813 评论:0

摘要:三星全新的处理器Exynos 7420届时将会亮相。

机型:3

ROM:6

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最近有关三星GALAXY S6的传闻较多,在陆续曝出该机的研发代号为“Project Zero”以及可能会配备双曲面侧屏的消息之后,韩国媒体etnews日前又最近报道称,三星将在智能旗舰上首次使用通用闪存(UFS)芯片,其主要特色 是传输速度更快,且功耗更低。据悉,三星这款智能旗舰将会在明年发布,但规格目前尚未完成。由于GALAXY S6将会是三星在明年的旗舰级产品,所以也意味着该机将有望成为首款配备通用闪存(UFS)芯片的智能机型。

配备UFS闪存

根 据韩国媒体etnews援引三星内部人士的消息披露称,三星采用通用闪存(UFS)芯片的智能旗舰将于明年登场,但目前规格尚未完成。同时,三星还计划在 智能手机和平板电脑上逐步以UFS取代传统的SD卡和Micro SD存储卡,而且包括小米在内的智能手机厂商也可能会跟进,推出配备UFS通用闪存的旗舰机型。由于三星GALAXY S6将会是三星在明年推出的旗舰机型,所以也意味着该机或将成为首款搭载UFS通用闪存的智能旗舰。

至 于UFS通用闪存则是一种新的储存标准,将固态硬盘(SSD)的高速传输和eMMC的低功耗特点相结合,不仅能够提供更快的传输速度,而且耗电量更低。目 前,eMMC闪存的最高传输速率为400MB/s,而UFS闪存则快上三倍,高达1.2GB/s。同时在功耗方面,UFS闪存理论上仅有eMMC 5.0闪存的一半左右。

S6从零开始

而 在此前,三星GALAXY S6的研发代号Project Zero已经在网络上曝光,所传递的概念似乎为“从零开始”的含义。而从目前所披露的诸多消息来看,三星确实准备在下一代GALAXY S系列旗舰上采用全新的设计。比如根据IHD技术公司的高级分析师Jerry Kang披露的说法,三星GALAXY S6的两个侧面都有望使用来自Samsung Display的弧形屏幕,同时这位分析师还表示三星其实在Note Edge上就已经能够在两侧都采用弧形屏幕,只是三星高层压制了这个想法,表示“再等等”。

除 此之外,三星GALAXY S6还传闻会装载2K分辨率的触控屏,并会使用博通的全新BCM4773芯片,将GPS 导航与其它感应器整合,不仅能够节省电量消耗,而且还能够为主板节省更多空间。至于其他相关配置上,三星GALAXY S6也会得到全面升级,比如前置镜头提升为500万像素,并会改进主摄像头在弱光环境下的拍照效果。而处理器的配置上则沿用过去的双处理器策略,全球版本 将会装载全新Exynos 7420处理器,并可能会搭载新开发LTE基带芯片。而面向部分特定的地区的版本,则会是64位的骁龙810处理器。

继续采用3GB内存

尽 管如此,三星GALAXY S6并不打算配备4GB内存,而是会继续采用3GB的内存容量,因为这样的配置已经足以处理所有的任务操作。而根据SamMobile此前曝光的信息显 示,该机在欧美市场的型号为SM-G920,并且针对市场的不同手机的型号最后一位数字和字母会略有变化。

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